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Um novo jeito de controlar o spin do elétron

ED. 257 | JULHO 2017

 

Um grupo internacional de físicos experimentais e teóricos apresentou uma nova técnica que seria capaz de controlar uma propriedade fundamental dos elétrons – a orientação do seu spin, se apontado para cima ou para baixo – enquanto essas partículas se movimentam no interior de um finíssimo material semicondutor bidimensional, um filme de arseneto de gálio (Physical Review X, 1º de junho). Por meio da aplicação de distintas voltagens elétricas no material, os pesquisadores manipulam o equilíbrio  entre dois efeitos (o Rashba e o Dresselhaus) que geram campos magnéticos opostos e são os responsáveis por conservar a orientação do spin dos elétrons em movimento. “Os campos podem variar, mas estão em sintonia, o que trava o spin dos elétrons por algum tempo”, explica o físico teórico José Carlos Egues, do Instituto de Física de São Carlos (IFSC), da Universidade de São Paulo (USP), um dos autores do trabalho. De acordo com a corrente aplicada, a orientação do spin se mantém por mais ou menos tempo enquanto o elétron “caminha” pelo material semicondutor seguindo uma textura ondulada flexível. Controlar o spin dos elétrons, que tende a mudar de posição com o movimento das partículas, é um pré-requisito essencial para armazenar e recuperar informação em um eventual chip quântico.


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