Pesquisadores da International Business Machines (IBM) revelaram ter desenvolvido o mais rápido transistor de silício. Operando a 210 GHz (gigahertz), ele liga e desliga 210 bilhões de vezes por segundo, que é o dobro da velocidade dos atuais chips de telecomunicações. O produto foi obtido por meio da aplicação de uma fina camada de um composto de germânio sobre o chip de silício e por um novo desenho do transistor bipolar. O dispositivo poderá ser usado em redes ópticas, estações de telefonia celular e comunicações sem fio, segundo notícia do The Wall Street Journal.
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