{"id":207908,"date":"2016-01-05T14:20:48","date_gmt":"2016-01-05T16:20:48","guid":{"rendered":"http:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/?p=207908"},"modified":"2016-01-05T15:17:03","modified_gmt":"2016-01-05T17:17:03","slug":"electricidad-de-muchas-formas","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/electricidad-de-muchas-formas\/","title":{"rendered":"Electricidad de muchas formas"},"content":{"rendered":"
\"Direcciones

Seixas et al<\/em>., Nature Communications<\/span><\/a> Direcciones posibles de los espines de la corriente el\u00e9ctrica: Las flechas indican los distintos sentidos de los espines en la superficie de contacto entre el arseniuro de galio y el seleniuro de bismuto, como resultado de la interacci\u00f3n entre los materiales. Cada c\u00edrculo representa los niveles diferentes de energ\u00eda de los electrones. Los espines de la corriente el\u00e9ctrica pueden variar en sentido horario (c\u00edrculos azules<\/em>) o antihorario (los c\u00edrculos rosas<\/em>).Seixas et al<\/em>., Nature Communications<\/span><\/p><\/div>\n

Un nuevo tipo de material especial capaz de conducir electricidad en su superficie, y no en su interior, podr\u00eda adquirir versatilidad \u2013y conducir electricidad en diversas direcciones y con niveles de energ\u00eda distintos\u2013 luego de entrar en contacto con un material semiconductor de electricidad utilizado desde hace d\u00e9cadas en las computadoras, de acuerdo con simulaciones realizadas por f\u00edsicos de la Universidad de S\u00e3o Paulo (USP) y del Instituto Polit\u00e9cnico Rensselaer, en Estados Unidos.<\/p>\n

Esta conclusi\u00f3n, producto de un estudio en el cual se emple\u00f3 el modelado computacional, sorprendi\u00f3 al apuntar la posibilidad de reorganizaci\u00f3n de los electrones encargados de la conducci\u00f3n de la electricidad. Otro hallazgo inesperado fue la indicaci\u00f3n de que la corriente el\u00e9ctrica podr\u00eda generarse y controlarse mediante haces de l\u00e1ser aplicados en el \u00e1rea de contacto situada entre los materiales.<\/p>\n

Los investigadores arribaron a estos resultados al analizar qu\u00e9 podr\u00eda suceder cuando el arseniuro de galio, un material semiconductor utilizado en la fabricaci\u00f3n de computadoras, LEDs y l\u00e1seres, se apoyase sobre un material de propiedades electr\u00f3nicas completamente distintas, el seleniuro de bismuto, capaz de conducir corrientes el\u00e9ctricas especiales. En el seleniuro de bismuto, una propiedad de los electrones similar a la rotaci\u00f3n, el esp\u00edn, est\u00e1 siempre apuntando en una misma direcci\u00f3n, paralela a la superficie del material. Las simulaciones en computadora indicaron que el contacto entre materiales distintos aumentar\u00eda las posibilidades de organizar los espines de las corrientes el\u00e9ctricas en la capa existente entre los materiales.<\/p>\n

\u201cAl entrar en contacto, el arseniuro de galio y el seleniuro de bismuto modifican sus propiedades electr\u00f3nicas\u201d, sostuvo f\u00edsico brasile\u00f1o Leandro Seixas, uno de los autores del estudio y actualmente investigador en la Universidad Nacional de Singapur. Seixas empez\u00f3 a investigar las interacciones entre los materiales durante una pasant\u00eda que realiz\u00f3 en el Instituto Rensselaer en su doctorado, concluido en 2014 bajo la direcci\u00f3n de Adalberto haczio, del Instituto de F\u00edsica de la USP (lea en<\/em> Pesquisa FAPESP, edici\u00f3n no<\/sup> 192<\/em><\/a>).<\/p>\n

Los c\u00e1lculos indicaron que cuando el seleniuro de bismuto toca al arseniuro de galio, los electrones mantienen la capacidad de moverse de manera ordenada por el \u00e1rea de contacto existente entre ambos materiales. Asimismo, alteraciones en el nivel de energ\u00eda y en la velocidad de los electrones parecen permitir cambiar el sentido de rotaci\u00f3n (espines) y, de todos modos, mantenerlos ordenados.<\/p>\n

De confirmarse en mediciones experimentales, esta propiedad torna posible codificar y manipular informaciones en los espines, creando la base de una nueva tecnolog\u00eda de computaci\u00f3n llamada espintr\u00f3nica. En las computadoras actuales, el procesamiento de la informaci\u00f3n se realiza a trav\u00e9s de transistores de silicio, un material semiconductor. Los transistores de silicio controlan el paso de corrientes con mir\u00edadas de electrones, sin considerar sus espines, que en esos materiales semiconductores apuntan en direcciones aleatorias. Para los f\u00edsicos, materiales como el seleniuro de bismuto, denominados aislantes topol\u00f3gicos debido a que conducen la corriente el\u00e9ctrica \u00fanicamente en su superficie, tornar\u00edan posible crear un nuevo tipo de transistor que procesar\u00eda la informaci\u00f3n mediante el uso corrientes el\u00e9ctricas de espines ordenados, lo que puede, en principio, ser m\u00e1s r\u00e1pido y generar menor p\u00e9rdida de energ\u00eda.<\/p>\n

Proyecto
\nPropiedades electr\u00f3nicas, magn\u00e9ticas y de transporte en nanoestructuras (n\u00ba 2010\/162023<\/a>);\u00a0Modalidad <\/strong>Proyecto Tem\u00e1tico; Investigador responsable<\/strong>\u00a0Adalberto Fazzio (IFUSP); Inversi\u00f3n\u00a0<\/strong>R$ 1.327.201,88 (FAPESP).<\/p>\n

Art\u00edculo cient\u00edfico<\/em>
\nSEIXAS, L. et al. <\/em>Vertical twinning of the Dirac cone at the interface between topological insulators and semiconductors<\/a>. Nature Communications<\/strong>. v. 6, n. 7630. 3 jul. 2015.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"Materiales adquieren nuevas posibilidades de conducir la corriente el\u00e9ctrica ","protected":false},"author":14,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_exactmetrics_skip_tracking":false,"_exactmetrics_sitenote_active":false,"_exactmetrics_sitenote_note":"","_exactmetrics_sitenote_category":0,"footnotes":""},"categories":[181],"tags":[296,304],"coauthors":[103],"class_list":["post-207908","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-ciencia-es","tag-energia-es","tag-fisica-es"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/207908","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/14"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=207908"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/207908\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=207908"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=207908"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=207908"},{"taxonomy":"author","embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/coauthors?post=207908"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}