{"id":76456,"date":"2002-12-01T00:00:00","date_gmt":"2002-12-01T00:00:00","guid":{"rendered":"http:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/2002\/12\/01\/cambios-a-la-vista-2\/"},"modified":"2015-04-23T12:44:28","modified_gmt":"2015-04-23T15:44:28","slug":"cambios-a-la-vista-2","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/cambios-a-la-vista-2\/","title":{"rendered":"Cambios a la vista"},"content":{"rendered":"

\"\"EDUARDO CESAR<\/span><\/a>La b\u00fasqueda de una nueva materia prima capaz de reemplazar al \u00f3xido de silicio (SiO2) en la producci\u00f3n de los\u00a0chips<\/em> de computadoras y en todo tipo de artefactos electr\u00f3nicos est\u00e1 en la mira de varios investigadores brasile\u00f1os. Un grupo del Instituto de F\u00edsica (IF) de la Universidad Federal de R\u00edo do Sul (UFRGS), coordinado por el profesor Israel Baumvol, ha probado alternativas al SiO2 a pedido de gigantes internacionales del sector de tecnolog\u00eda de la informaci\u00f3n, tales como IBM, Texas Instruments, Nortel y Motorola. Y la apuesta mayo se dirige al \u00f3xido de hafnio, extra\u00eddo del metal del mismo nombre.<\/p>\n

Esta preocupaci\u00f3n obedece a que la era del silicio parece estar llegando a su fin, luego de m\u00e1s de cuatro d\u00e9cadas, y tras haber producido avances tecnol\u00f3gicos fundamentales en el cotidiano de la gente, generando a su vez riquezas y mejoras de productividad a gran escala. De acuerdo con la famosa “ley”, conocida en los medios inform\u00e1ticos como Ley de Moore (de Gordon Moore, fundador de la empresa de microprocesadores Intel), los procesadores duplican su capacidad de dos en dos a\u00f1os, al integrar un n\u00famero mucho mayor de circuitos en una sola pastilla. Esta situaci\u00f3n est\u00e1 reduciendo tanto el espesor de la capa aislante de di\u00f3xido de silicio que en poco tiempo no se podr\u00e1n evitar las p\u00e9rdidas de corriente en los circuitos integrados. Entonces la confiabilidad de los equipos electr\u00f3nicos estar\u00e1 comprometida y el sector de tecnolog\u00eda de la informaci\u00f3n podr\u00e1 enfrentar un per\u00edodo de paralizaci\u00f3n.<\/p>\n

Actualmente la capa aislante delchip<\/em> tiene entre 2 y 2,5 nan\u00f3metros, y necesita de manera urgente un sustituto para el SiO2, que mantenga la corriente y evite el recalentamiento en concentraciones menos densas. Tambi\u00e9n deber\u00e1 ser econ\u00f3micamente factible, ejerciendo ese papel durante diez anos. Para hallar un reemplzante, la industria se ha lanzado desde hace alrededor de cuatro a\u00f1os a una verdadera carrera, movilizando a los principales centros de investigaci\u00f3n en el \u00e1rea de semiconductores de Estados Unidos, Europa y Jap\u00f3n en pos de ese objetivo.<\/p>\n

El estudio de Baumvol con diversos candidatos a reemplazantes del SiO2 sugiere que el \u00f3xido de hafnio (HfO2) puede conquistar ese puesto. En laboratorio, dicho material prob\u00f3 que puede realizar la tarea de mantener la integridad del silicio, que se encarga de almacenar las informaciones, mientras que el SiO2 act\u00faa como aislante.<\/p>\n

Fases productivas
\n<\/strong>Pero el reemplazo del material implica cambios significativos en buena parte del proceso de producci\u00f3n dechips<\/em> , constituido por entre 20 y 30 etapas. “La alteraci\u00f3n de una de las primeras fases del proceso puede afectar a todas las posteriores, demandando inversiones en equipos”, explica Baumvol. Asimismo, ninguno de los posibles sustitutos del SiO2 abunda en la naturaleza, y ninguno es barato. “El \u00f3xido de hafnio, por ejemplo, nunca parece en estado puro. Tiene por lo menos un 3% de circonio en su composici\u00f3n y requiere nuevas tecnolog\u00edas de purificaci\u00f3n”.<\/p>\n

Pese a ser consciente de que Brasil est\u00e1 jugando “un juego de miles de millones” – la empresa que logre la patente de la primera nueva tecnolog\u00eda eficaz facturar\u00e1 mucho con la licencia de producci\u00f3n -, Baumvol no vislumbra perspectivas de que el pa\u00eds se beneficie a corto plazo con los avances obtenidos en el IF. “Un aprovechamiento m\u00e1s amplio de los conocimientos acumulados ac\u00e1, que hicieron triplicar nuestra productividad en investigaci\u00f3n durante los \u00faltimos tres a\u00f1os y nos transformaron en una de las referencias internacionales en el \u00e1rea de materiales semiconductores, depende de la formulaci\u00f3n de pol\u00edticas nacionales con el objetivo de producirchips<\/em> en laboratorio”, dice.<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"El \u00f3xido de hafnio puede reemplazar al \u00f3xido de silicio para la producci\u00f3n de","protected":false},"author":6,"featured_media":0,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_exactmetrics_skip_tracking":false,"_exactmetrics_sitenote_active":false,"_exactmetrics_sitenote_note":"","_exactmetrics_sitenote_category":0,"footnotes":""},"categories":[192],"tags":[],"coauthors":[93],"class_list":["post-76456","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-tecnologia-es"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/76456","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/6"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=76456"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/76456\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=76456"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=76456"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=76456"},{"taxonomy":"author","embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/es\/wp-json\/wp\/v2\/coauthors?post=76456"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}