{"id":236679,"date":"2013-09-03T14:30:47","date_gmt":"2013-09-03T17:30:47","guid":{"rendered":"http:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/?p=236679"},"modified":"2017-04-24T13:34:21","modified_gmt":"2017-04-24T16:34:21","slug":"conducteur-au-four","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/conducteur-au-four\/","title":{"rendered":"Conducteur au four"},"content":{"rendered":"

\"Chip\"Eduardo CESAR<\/span><\/a>Publi\u00e9 en mars 2004
\n<\/em>
\nUn groupe de chercheurs du Centre Multidisciplinaire pour de D\u00e9veloppement de Mat\u00e9riaux C\u00e9ramiques (CMDMC) \u00e0 S\u00e3o Carlos, a annonc\u00e9 la mise au point d\u2019un nouveau proc\u00e9d\u00e9 et d\u2019un nouveau type de puce capable d\u2019augmenter de 250 fois la m\u00e9moire des ordinateurs. Cette nouvelle est importante car elle apportera de grands b\u00e9n\u00e9fices aux consommateurs et ouvrira une nouvelle voie \u00e0 l\u2019industrie informatique et \u00e9lectronique nationale voire internationale. La production de semi-conducteurs, qui sont des \u00e9l\u00e9ments essentiels au fonctionnement de tout \u00e9quipement \u00e9lectronique, est un des quatre points faisant partie des directives de la politique industrielle br\u00e9silienne annonc\u00e9es par le gouvernement f\u00e9d\u00e9ral en novembre, et qui doivent \u00eatre confirm\u00e9es au mois de mars. Ces produits fabriqu\u00e9s avec du silicium comprennent les fameuses puces et d\u2019autres dispositifs faisant partie des circuits int\u00e9gr\u00e9s qui traitent et conservent les informations de tout processeur utilis\u00e9 dans les guichets \u00e9lectroniques de banques, les t\u00e9l\u00e9phones portables, le syst\u00e8me d\u2019injection des voitures, les TV ou les ordinateurs.<\/p>\n

Les semi-conducteurs sont bien cot\u00e9s pour b\u00e9n\u00e9ficier d\u2019encouragements gouvernementaux et entrepreneuriaux qui favoriseront leur d\u00e9veloppement, au m\u00eame titre que les logiciels, les substances pharmaceutiques et les biens de capital. Jusqu\u2019\u00e0 pr\u00e9sent les discussions men\u00e9es autour de la production de ces \u00e9l\u00e9ments au Br\u00e9sil n\u2019abordent que l\u2019importation de proc\u00e9d\u00e9s technologiques et la cr\u00e9ation d\u2019usines dans le pays. Cette nouvelle perspective, annonc\u00e9e \u00e0 S\u00e3o Carlos, peut raviver le d\u00e9bat sur la production des semi-conducteurs dans le pays.<\/p>\n

Pour obtenir des nouveaux mat\u00e9riaux, qui pourront \u00eatre utiles aux nouvelles g\u00e9n\u00e9rations de m\u00e9moires informatiques, les chercheurs du CMDMC, un des dix Centres de Recherche, d\u2019Innovation et de Diffusion (Cepids) financ\u00e9s par la FAPESP, ont mis au point un proc\u00e9d\u00e9 simple et bon march\u00e9 bas\u00e9 sur un d\u00e9p\u00f4t chimique r\u00e9alis\u00e9 \u00e0 l\u2019aide d\u2019un four \u00e0 micro-ondes domestique et qui a d\u00e9j\u00e0 \u00e9t\u00e9 brevet\u00e9. Ils ont \u00e9galement cr\u00e9\u00e9 une \u00e9lectrode (\u00e9l\u00e9ment conducteur d\u2019\u00e9lectricit\u00e9) qui pourra remplacer le platine dans les circuits int\u00e9gr\u00e9s. Toutes ces d\u00e9couvertes int\u00e9ressent d\u00e9j\u00e0 une entreprise multinationale, que les chercheurs ne souhaitent pas pour l\u2019instant citer en fonction des n\u00e9gociations en cours.<\/p>\n

\"INFO<\/a>De petits isolants
\n<\/strong>Pour comprendre l\u2019avanc\u00e9e des produits pr\u00e9sent\u00e9s par les chercheurs il faut entrer dans le monde des semi-conducteurs et de leurs \u00e9l\u00e9ments. Ce nouveau mat\u00e9riel en forme de pellicule, appel\u00e9 films fins, \u00e0 base de Titanate de baryum et de plomb (PbBaTiO3), poss\u00e8de de bonnes caract\u00e9ristiques pour pouvoir int\u00e9grer un dispositif de m\u00e9moire informatique et son effet di\u00e9lectrique constant et \u00e9lev\u00e9 est de bonne augure. Plus cette constance sera \u00e9lev\u00e9e, plus grande sera la quantit\u00e9 d\u2019\u00e9lectrons stock\u00e9e dans la m\u00e9moire. Ce param\u00e8tre mesure la capacit\u00e9 du mat\u00e9riel \u00e0 permettre le d\u00e9placement de la charge \u00e9lectrique \u00e0 travers sa surface vers les autres couches internes des circuits. En v\u00e9rit\u00e9, il s\u2019agit de mat\u00e9riaux isolants et incapables de conduire un courant \u00e9lectrique, contrairement aux mat\u00e9riaux conducteurs dans lesquels le courant passe normalement. Les semi-conducteurs sont des mat\u00e9riaux compos\u00e9s d\u2019\u00e9l\u00e9ments chimiques comme le silicium, le germanium ou des substances comme l\u2019ars\u00e9nite de gallium, et poss\u00e8dent une conductivit\u00e9 \u00e9lectrique interm\u00e9diaire, stockant moins d\u2019\u00e9lectrons qu\u2019un m\u00e9tal, mais favorisant un contr\u00f4le plus ais\u00e9 et plus ordonn\u00e9e de ces particules. Dans un mat\u00e9riel di\u00e9lectrique la charge est d\u00e9plac\u00e9 vers un autre niveau dans des circuits \u00e9lectroniques, connu sous le nom de puce (un sandwich de mat\u00e9riaux semi-conducteur et conducteur intercal\u00e9s par des couches de films di\u00e9lectriques), sous la forme de d\u00e9charges, \u00e9galement appel\u00e9es inductions, quand la rigidit\u00e9 di\u00e9lectrique est d\u00e9pass\u00e9e.<\/p>\n

L\u2019effet di\u00e9lectrique constant du film de titanate de baryum et de plomb obtenu \u00e0 S\u00e3o Carlos est de 1.800, soit plus de 250 fois celui d\u2019un capaciteur (dispositif qui stocke la charge \u00e9lectrique dans un espace tr\u00e8s r\u00e9duit), utilis\u00e9 dans les circuits int\u00e9gr\u00e9s. Les films actuels \u00e0 base d\u2019oxyde de silicium et de nitrate de silicium poss\u00e8dent un effet di\u00e9lectrique constant \u00e9gal \u00e0 sept. Dans d\u2019autres produits mis au point par les chercheurs du CMDMC et par les nord am\u00e9ricains et les japonais, les plus grandes constantes di\u00e9lectriques obtenues atteignent 700 avec des m\u00e9thodes sophistiqu\u00e9es et on\u00e9reuses. \u201cLes puces actuelles d\u2019une constance de sept sont par exemple capables de g\u00e9rer une m\u00e9moire d\u2019un Gigaoctet, alors que le mat\u00e9riel que nous avons mis au point atteint 250 Gigaoctets\u201d, d\u00e9clare le professeur Elson Longo, coordinateur du Laboratoire Interdisciplinaire d\u2019Electrochimie et de C\u00e9ramique (Liec) du d\u00e9partement de Chimie de l\u2019Universit\u00e9 F\u00e9d\u00e9rale de S\u00e3o Carlos (UFScar) et du CMDMC. Ce dernier appel\u00e9 \u00e9galement Cepid C\u00e9ramique, est compos\u00e9 de l\u2019Institut de Chimie (IQ) de l\u2019Universit\u00e9 Publique Pauliste (Unesp) d\u2019Araraquara, de l\u2019Institut de Recherches \u00c9nerg\u00e9tiques et Nucl\u00e9aires et de l\u2019Institut de Chimie de l\u2019Universit\u00e9 de S\u00e3o Paulo \u00e0 S\u00e3o Carlos.<\/p>\n

\u201cActuellement il est possible de stocker 1 m\u00e9gaoctet d\u2019informations dans des pastilles semi-conductrices d\u2019un centim\u00e8tre carr\u00e9 (cm2<\/sup>). Avec la nouvelle m\u00e9moire il sera possible de stocker 250 m\u00e9gaoctets dans le m\u00eame espace \u201d, d\u00e9clare Longo. \u201cLa haute densit\u00e9 di\u00e9lectrique, outre le fait de repr\u00e9senter une grande avanc\u00e9e pour le stockage de le m\u00e9moire des capaciteurs, est n\u00e9cessaire pour maintenir la concentration et le stockage de la charge \u00e9lectrique \u00e0 des niveaux exig\u00e9es par les prochaines g\u00e9n\u00e9rations de m\u00e9moires \u00e0 acc\u00e8s al\u00e9atoire dynamique, appel\u00e9es Dram (Dynamic Random Acess Memory), qui stockent les donn\u00e9es et les informations du logiciel utilis\u00e9 et favorisent \u00e9galement une \u00e9conomie d\u2019\u00e9lectricit\u00e9.\u201d<\/p>\n

La recherche qui a d\u00e9bouch\u00e9 sur la d\u00e9couverte des films fins de Titanate de baryum et de plomb fait partie d\u2019une course mondiale initi\u00e9e depuis plus de vingt ans pour r\u00e9soudre un des probl\u00e8mes de la micro\u00e9lectronique; la taille des cellules de m\u00e9moire. Cette pi\u00e8ce diminue chaque ann\u00e9e afin d\u2019augmenter le nombre de ces dispositifs et favoriser une plus grande capacit\u00e9 de stockage et de traitement des donn\u00e9es. C\u2019est une voie dict\u00e9e par l\u2019\u00e9volution des logiciels, chaque fois plus vari\u00e9e, r\u00e9pandue et sophistiqu\u00e9e. La diminution des dispositifs de m\u00e9moires favorise la miniaturisation et la cr\u00e9ation de nouveaux \u00e9quipements \u00e9lectroniques ainsi que la multiplication des fonctions de ces appareils.<\/p>\n

Les recherches visant \u00e0 augmenter la m\u00e9moire et l\u2019espace dans les dispositifs semi-conducteurs sont permanentes depuis les ann\u00e9es 70. La plus fameuse pr\u00e9diction sur les progr\u00e8s de l\u2019informatique \u00e9mane de l\u2019ing\u00e9nieur en \u00e9lectronique Gordon Moore, un des fondateurs d\u2019Intel, principale fabrique de semi-conducteurs aux \u00c9tats-Unis. Il avait d\u00e9clar\u00e9 que la croissance de l\u2019industrie informatique provoquerait une augmentation de la capacit\u00e9 de traitement des puces qui devrait doubler tous les deux ans. Cette pr\u00e9vision r\u00e9dig\u00e9e par ses propres soins dans un article publi\u00e9 dans la revue Eletronics en 1965 sera connue plus tard sous le nom de Loi de Moore. Depuis lors, l\u2019industrie \u00e9lectronique a exactement suivi cette \u00e9volution parfois m\u00eame avec davantage de rapidit\u00e9. \u00c0 titre d\u2019exemple, la taille des m\u00e9moires RAM quadruple tous les trois ans.<\/p>\n

Il est cependant chaque fois plus difficile de maintenir la densit\u00e9 des \u00e9lectrons dans des capaciteurs utilisant les d\u00e9riv\u00e9s actuels du silicium. Le capaciteur qui est un \u00e9l\u00e9ment essentiel pour ce type de dispositif diminue chaque ann\u00e9e. Au d\u00e9but des ann\u00e9es 1990, il mesurait 3,6 mm2<\/sup> et actuellement il mesure 0,1 mm2<\/sup>. La pr\u00e9vision est qu\u2019il atteigne la taille de 0,04 mm2 <\/sup>entre 2007 et 2010. Gr\u00e2ce \u00e0 la miniaturisation, la quantit\u00e9 de transistors (amplificateurs de signaux \u00e9lectriques) a \u00e9galement augment\u00e9 dans les \u00e9quipements \u00e9lectroniques. Les processeurs 8086, introduits sur le march\u00e9 en 1978, poss\u00e9daient 29 mil transistors. De nos jours avec le Pentium 4, ce nombre de transistors s\u2019\u00e9l\u00e8ve \u00e0 42 millions.<\/p>\n

\"INFO<\/a>Choc de temp\u00e9rature
\n<\/strong>La taille r\u00e9duite de ces composants cr\u00e9e un autre probl\u00e8me; le super r\u00e9chauffement des couches d\u2019oxyde de silicium. L\u2019industrie qui produit ces dispositifs m\u00e8ne depuis quelques ann\u00e9es des recherches incessantes afin d\u2019\u00e9viter, dans l\u2019avenir, la perte de courant \u00e9lectrique dans les circuits int\u00e9gr\u00e9s de ces capaciteurs de plus en plus r\u00e9duits, remettant en cause la fiabilit\u00e9 des ordinateurs et d\u2019autres \u00e9quipements \u00e9lectroniques.<\/p>\n

Les temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es ne sont pas un probl\u00e8me pour les films mis au point par l\u2019\u00e9quipe coordonn\u00e9e par le professeur Elson Longo. \u201cLes syst\u00e8mes sont fiables car le titanate de baryum et de plomb ne se d\u00e9grade pas aux temp\u00e9ratures qui affectent les dispositifs actuels. La propri\u00e9t\u00e9 ferro\u00e9lectrique du nouveau film poss\u00e8de plusieurs avantages sur les dispositifs ferromagn\u00e9tique utilis\u00e9s actuellement, comme son faible voltage op\u00e9rationnel, sa l\u00e9g\u00e8ret\u00e9, sa taille r\u00e9duite ainsi qu\u2019une vitesse d\u2019\u00e9criture et de lecture plus \u00e9lev\u00e9e dans le processus qui stocke, efface et imprime les signaux digitaux 0 et 1 dans la m\u00e9moire d\u2019un ordinateur. \u201cDe grands groupes industriels am\u00e9ricains, europ\u00e9ens et asiatiques investissent actuellement des millions de dollars dans l\u2019achat de films fins ferro\u00e9lectriques car ils sont compatibles et s\u2019int\u00e8grent facilement \u00e0 la technologie actuelle de production de circuits int\u00e9gr\u00e9s qui utilisent des puces de silicium et d\u2019ars\u00e9nite de gallium \u201d, d\u00e9clare Longo.<\/p>\n

Mais le plus grand avantage industriel du nouveau film r\u00e9side dans son processus de fabrication. \u00c0 partir d\u2019une solution organique de citrate obtenue \u00e0 partir de l\u2019acide citrique (existant dans toutes les agrumes) on pr\u00e9pare une substance solide poss\u00e9dant une structure chimique polym\u00e9rique (identique aux plastiques) en utilisant comme ingr\u00e9dients du baryum, du plomb et du titanate. Cette substance est r\u00e9chauff\u00e9e dans un four classique \u00e0 une temp\u00e9rature de 300\u00ba Celsius afin d\u2019en retirer le mat\u00e9riel organique (principalement le carbone). \u201cEnsuite nous utilisons un four \u00e0 micro-ondes domestique pour produire la cristallisation, [essentielle pour obtenir un bon effet di\u00e9lectrique constant] et produire le film de titanate de baryum et de plomb\u201d, explique Longo. C\u2019est la premi\u00e8re fois que l\u2019on obtient cet \u00e9l\u00e9ment en utilisant cette m\u00e9thode. \u201cIl est possible que la NASA (agence spatiale nord-am\u00e9ricaine) et les militaires US utilisent d\u00e9j\u00e0 du titanate dans des puces r\u00e9clamant davantage de stabilit\u00e9. Cependant il n\u2019est pas fabriqu\u00e9 industriellement et est probablement produit en laboratoire par des m\u00e9thodes on\u00e9reuses et complexes sans pour autant poss\u00e9der l\u2019effet constant di\u00e9lectrique que nous avons obtenu\u201d.<\/p>\n

Les films de titanate de baryum et de plomb pourront \u00eatre produits dans un environnement normal, sans aucunes contraintes. Les fabriques de technologie de pointe sont oblig\u00e9es d\u2019utiliser des salles d\u00e9contamin\u00e9es de tout mat\u00e9riel en suspension qui co\u00fbtent des millions de dollars. \u201cEn utilisant les m\u00e9thodes conventionnelles de production, le temps actuel de fabrication de ces mat\u00e9riaux est d\u2019environ 40 heures. Dans le syst\u00e8me que nous avons mis au point, le temps de production du titanate est de deux heures dans un four classique plus dix minutes dans un four \u00e0 micro-ondes\u201d, d\u00e9clare Longo. La FAPESP en a financ\u00e9 le brevet qui a \u00e9t\u00e9 d\u00e9pos\u00e9 en juillet 2003, bien avant la publication le 12 janvier de cette ann\u00e9e de l\u2019article scientifique paru dans la revue de l\u2019Institut Am\u00e9ricain de Physique Applied Physics Letters. Cet article a \u00e9t\u00e9 sign\u00e9 par le professeur Longo et par les chercheurs Fenelon Martinho Lima Pontes, Edson Leite, Geovane Pimenta Mambrini et M\u00e1rcia Tsuyama Escote, de l\u2019UFScar, ainsi que par le professeur Jos\u00e9 Arana Varela, de l\u2019Unesp.<\/p>\n

Cette m\u00eame m\u00e9thode a \u00e9t\u00e9 utilis\u00e9e par l\u2019\u00e9quipe de chercheurs pour produire une autre nouveaut\u00e9; l\u2019\u00e9lectrode de nickelate de lanthane (LaNiO3). Ce mat\u00e9riel remplace la couche de platine dans le sandwich form\u00e9 par la puce. Comme le titanate de baryum, le nickelate a \u00e9t\u00e9 produit \u00e0 partir d\u2019un compos\u00e9 de nickel et de lanthane qui garantit les propri\u00e9t\u00e9s structurelles du mat\u00e9riel avant qu\u2019il n\u2019aille au four, contrairement aux films actuels qui passent par divers processus de d\u00e9p\u00f4ts chimiques ou physiques. Cela signifie que le pr\u00e9curseur polym\u00e9rique poss\u00e8de d\u00e9j\u00e0 la m\u00e9moire chimique ayant la structure n\u00e9cessaire pour devenir un mat\u00e9riel semi-conducteur ou conducteur. \u201cNous donnons au mat\u00e9riel la forme d\u2019une structure polym\u00e9rique et quand nous le br\u00fblons, il ne reste que le squelette qui est la plaque conductrice ou di\u00e9lectrique\u201d, d\u00e9clare Longo. \u201cIl faut \u00e9galement souligner que ces mat\u00e9riaux sont compatibles entre eux dans leur structure chimique et mol\u00e9culaire, facilitant ainsi l\u2019int\u00e9gration de ces films dans un dispositif utilisant normalement de l\u2019or comme conducteur et qui est chimiquement compatible.\u201d<\/p>\n

\"INFO<\/a>Des milliards en jeu
\n<\/strong>Les nouveaut\u00e9s pr\u00e9sent\u00e9es par l\u2019\u00e9quipe du professeur Longo ne doivent pas pour l\u2019instant diminuer la d\u00e9pendance br\u00e9silienne en mati\u00e8re d\u2019importation de semi-conducteurs qui, en 2003, se chiffrait \u00e0 1,7 milliards de dollars US, conform\u00e9ment aux donn\u00e9es transmises par l\u2019Association Br\u00e9silienne de l\u2019Industrie \u00c9lectrique et Electronique (Abinee). Les achats r\u00e9alis\u00e9s dans les pays du sud-est Asiatique, comme Taiwan, Singapour et Hong-Kong correspondent \u00e0 1,2 milliard de dollars US de ce montant total. \u201cLe Br\u00e9sil n\u2019a pas les moyens de financer seul la construction de fabriques de semi-conducteurs qui n\u00e9cessitent de lourds investissements s\u2019\u00e9levant \u00e0 plusieurs milliards de dollars \u201d, d\u00e9clare Longo. \u201cGr\u00e2ce \u00e0 notre travail, nous avons d\u00e9montr\u00e9 que le Br\u00e9sil poss\u00e8de les comp\u00e9tences n\u00e9cessaires pour d\u00e9velopper de nouveaux projets et pour former un personnel hautement qualifi\u00e9 dans ce secteur.\u201d Les films de titanate de baryum et de plomb ainsi que l\u2019\u00e9lectrode de nickelate de lanthane, produits gr\u00e2ce \u00e0 la technique mise au point par le Cepid C\u00e9ramiques, pourront aussi bien \u00eatre produits au Br\u00e9sil qu\u2019\u00e0 l\u2019\u00e9tranger, si les r\u00e9sultats des n\u00e9gociations s\u2019av\u00e8rent positifs.<\/p>\n

Le march\u00e9 des semi-conducteurs qui brasse des milliards, s\u2019adapte et \u00e9volue rapidement. Selon les donn\u00e9es de l\u2019Association de l\u2019Industrie des Semi-conducteurs Am\u00e9ricaine (SIA), les ventes mondiales pour ce secteur ont, l\u2019ann\u00e9e derni\u00e8re, atteint la somme de 166,4 milliards de dollars US, soit 18,3% de plus qu\u2019en 2002, La croissance pr\u00e9vue pour cette ann\u00e9e est de 19%. Il s\u2019agit donc d\u2019un march\u00e9 hautement attractif dans une activit\u00e9 chaque fois plus fondamentale.<\/p>\n

Les projets<\/strong>
\n 1.<\/strong> Films fins destin\u00e9s aux m\u00e9moires des ordinateurs; Modalit\u00e9<\/strong> Centres de Recherche, Innovation et Diffusion (Cepids); Coordinateur<\/strong> Elson Longo \u2013 Centre Multidisciplinaire pour le D\u00e9veloppement de Mat\u00e9riaux C\u00e9ramiques; Investissement<\/strong> 1.200.000,00 r\u00e9aux par an pour l\u2019ensemble du Cepid
\n2.<\/strong> Appareil et m\u00e9thode pour cristalliser les films fins en utilisant un four \u00e0 micro-ondes domestique; Modalit\u00e9<\/strong> Programme de Soutien de la Propri\u00e9t\u00e9 Intellectuelle; Coordinateur<\/strong> Elson Longo – Centre Multidisciplinaire pour le D\u00e9veloppement de Mat\u00e9riaux C\u00e9ramiques; Investissement<\/strong> 6.000,00 r\u00e9aux<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"Des chercheurs ont mis au point de nouveaux mat\u00e9riaux qui augmentent jusqu\u2019\u00e0 250 fois la m\u00e9moire des ordinateurs \u00e0 l\u2019aide d\u2019un four \u00e0 micro-ondes domestique ","protected":false},"author":10,"featured_media":0,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_exactmetrics_skip_tracking":false,"_exactmetrics_sitenote_active":false,"_exactmetrics_sitenote_note":"","_exactmetrics_sitenote_category":0,"footnotes":""},"categories":[1194],"tags":[],"coauthors":[97],"class_list":["post-236679","post","type-post","status-publish","format-standard","hentry","category-technologie"],"acf":[],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/236679","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/10"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=236679"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/236679\/revisions"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=236679"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=236679"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=236679"},{"taxonomy":"author","embeddable":true,"href":"https:\/\/revistapesquisa.fapesp.br\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/coauthors?post=236679"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}