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Uma nova geração de chips para computadores poderá surgir dentro de algum tempo por meio de um desenvolvimento feito em parceria com pesquisadores das universidades Purdue e da Califórnia em Los Angeles (Ucla), nos Estados Unidos, e da IBM. Eles conseguiram fabricar em escala laboratorial transistores de nanofios com camadas de silício e germânio, que poderão ser usados na fabricação de equipamentos eletrônicos menores, mais rápidos e mais potentes do que os atuais. Nanofios são estruturas capilares tão finas que seu diâmetro pode ser medido em átomos. Os transistores são responsáveis por amplificar ou modificar sinais eletrônicos e possuem formato plano, construídos sobre pastilhas de silício. Os transistores de nanofios seguem a mesma lógica, mas são montados verticalmente, em camadas bem definidas. A imagem do nanofio lembra a de um cogumelo, com uma camada superior formada por uma liga de ouro e alumínio, uma intermediária de germânio e a base de silício. O desafio agora será fabricar em larga escala nanofios com padrões que possam ser usados pela indústria.
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