Um dos grandes obstáculos na fabricação de chips, células solares e outros semicondutores é a dificuldade de remover das diversas camadas de silício que formam esses componentes os átomos de hidrogênio, que são, propositadamente, inseridos para evitar a oxidação do material durante sua montagem. A boa notícia é que um time de pesquisadores norte-americanos liderado pelo engenheiro elétrico e de computação Philip Cohen, da Universidade de Minnesota (EUA), desenvolveu uma técnica baseada no uso de laser que pode realizar a tarefa sem danificar o material. O método convencional emprega uma fonte de calor, de cerca de 800 graus Celsius, que pode comprometer a estrutura cristalina do silício e causar defeitos no chip. O laser, por sua vez, utiliza temperaturas bem mais baixas. A descoberta, já patenteada pelos cientistas e publicada na revista Science de 19 de maio, pode reduzir o custo de produção e melhorar a qualidade de microchips e semicondutores em geral.
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