Uma pequena estrutura semicondutora de silício capaz de emitir um feixe de laser é a mais nova promessa para a indústria de microcomponentes avançar muitos passos na capacidade de processamento de computadores e demais processadores eletrônicos. A novidade, chamada Híbrido de Silício e Laser, foi apresentada em setembro por pesquisadores da Universidade da Califórnia Santa Bárbara (UCSB) e do Laboratório de Tecnologia Fotônica da Intel. Os pesquisadores combinaram as propriedades de emissão de luz do fosfeto de índio (InP), um material usado na produção de lasers, com as propriedades semicondutoras do silício, principal material da indústria de microcomponentes que é barato e abundante em todo o planeta. Esse dispositivo poderá ser usado tanto dentro dos chips como nas comunicações entre eles, levando as informações por meio de feixes de laser, e não entre conectores metálicos. As possibilidades técnicas das conexões atuais estão se esgotando pela dificuldade em transmitirem grandes volumes de dados. Com o laser, a capacidade de transmissão poderá subir para os terabits, deixando o patamar dos gigabits (1 terabit é igual a 1.024 gigabits).
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