Uma nova geração de transistores para computadores deverá ser lançada no próximo ano e trazer novidades para a tecnologia computacional. A Intel, maior fabricante mundial de microprocessadores, anunciou que vai produzir transistores (blocos básicos de construção dos chips) com eletrodos de metal – e não de silício. Ela pretende começar a fabricar os novos dispositivos no final deste ano. O componente tem paredes isolantes de óxido de háfnio, baseado no metal de mesmo nome, de elevado valor dielétrico, característica em que a carga elétrica é deslocada para outro nível dentro dos chips (materiais semicondutores e condutores intercalados por camadas de filmes dielétricos). Com isso, os transistores de 45 nanômetros (nm) da próxima geração de microprocessadores serão mais rápidos, menores e mais eficientes em consumo de energia do que os atuais de 65 nm. Outro avanço no mundo da informática foi conquistado pela IBM, que também já divulgou ter tecnologia para fabricar transistores de 45 nm. A empresa anunciou, em fevereiro, o desenvolvimento da memória mais rápida do mundo, batizada de eDRAM (Embedded Dynamic Random Access Memory). Ela é baseada na tecnologia SOI (Silicon-on-Insulator), ou silício sobre isolante, e permitirá triplicar a capacidade de armazenamento dos computadores. A previsão da IBM é que ela entre no mercado no próximo ano.
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